반도체제조공정

1. 반도체의 정의 [1]
반도체(semiconductor)란 전기전도도에 따른 물질의 분류 가운데 하나로 도체왿� 부도체의 중간영역에 속한다. 반도체는 순수한 상태에서 부도체왿� 비슷한 특성을 보이지만 불순물의 첨가에 의해 전기전도도가 늘어나기도 하고 빛이나 열에너지에 의해 일시적으로 전기전도성을 갖기도 한다. 일반적으로 실온에서 정도의 비저항을 가지나 그 범위가 엄격하게 정해져 있지 않다.
주기율표상에 14족에 위치하는 저머늄(Ge), 실리콘(Si) 등이 대표적인 반도체이다. 실리콘에 13족의 붕소(B)나 15족의 인(P)등을 첨가하여 사용한다. 최근에는 13족과 15족의 화합물반도체가 쓰이기도 하며 갈륨비소(GaAs ; gallium arsenide) 나 인듐인(InP ; indium phospide) 등이 있다.

2. 반도체의 제조기술 [2]
반도체는 최초 웨이퍼 제작에서부터 최종완제품까지 크게 4가지 공정으로 구별할 수 있다. 즉 Silicon 원석에서 웨이퍼를 제작하는 웨이퍼 제조공정, 제조된 웨이퍼를 이용하여 웨이퍼 표면에 집적회로를 형성하는 웨이퍼 가공공정, 가공된 웨이퍼로 Chip을 제작 하는 Package 조립공정, Package를 Module에 부착하여 완전한 기능을 하는 제품으로 제작하는 Module 조립공정으로 나눌 수 있다.

2.1. 웨이퍼 제조공정

2.1.1. 단결정 성장
단결정 성장은 실리콘 웨이퍼 제조를 위한 첫 번째 공정이다. 고순도의 일정한 모양이 없는 폴리 실리콘이 고도로 자동화된 단결정 성장로 속에서 단결정봉으로 변형된다. 고진공상태에서 1400℃ 이상의 고온에 녹은 폴리 실리콘은 정밀하게 조절되는 조건하에서 큰 직경을 가진 단결정봉으로 성장한다. 이왿� 같은 성장과정이 끝나면 , 단결정봉은 실내온도로 식혀지고 각각의 단결정봉이 여러 조건에 부합되는지를 평가하게 되고, 단결정봉은 부분별로 가공되어 정확한 직경을 갖게 된다 .