FET

2) 실험2
처음에 5배 만들기는 드레인과 소스 저항으로 증폭률을 정하였기 때문에 그리 어렵지 않게 할 수 있었다. 단지 바이어스 전압이 생각보다 높게 잡혀 R2값을 조금씩 바꾸며 6V를 맞추려 했으나 정확한 값을 찾지 못하여 7V로 잡힌 부분이 아쉽다.

3) 실험3
예비 시뮬레이션에서 결과를 보고 실험을 실행하였는데, 막상 결과가 쉽게 나오지 않았다. 그래서 알아보니 P형 MOSFET의 드레인과 소스가 바뀌었다는 것을 알 수 있었다. 다시 그 P형을 바꾸어서 실험을 시작했다. 그러나 이번에도 역시 결과가 나오지 않았다. 왜 그런가 생각을 해보니, 우리가 입력을 100mV로 설정해 놓았는데, 따라서 입력전압이 낮아 쓰레스 홀드 전압을 넘지 않아 FET가 작동을 하지 않은 것이었다. 이 부분 때문에 한참을 헤매었는데 간신히 문제를 발견해 실험을 하여 원하는 결과를 얻어 낼 수 있었다.

8. Conclusion
이번 실험은 FET에 대한 특성을 간단히 알아 보는 실험이었다. 일단 기본적인 회로 구성은 BJT왿� 상당히 유사함을 알 수 있었다. 즉 회로 자체는 BJT를 위해 만든 회로에 FET만 바꿔 넣으면 바로 FET 회로가 되는 것이다. 물론 저항 값이나, 기타 다른 것들이 분명 BJT왿� 다르기는 했다.
BJT 실험을 할 때는 전자회로 시간에 약간이나마 기본 지식을 배웠기에 실험을 쉽게 할 수 있었으나, FET는 기본 지식이 없어 공부하면서 실험을 했어도 완벽한 이해가 안 되었다는 문제가 남았다.
단지 기본적인 증폭기로서의 성격은 비록 전압으로 제어를 한다고 하지만 BJT왿� 유사하여 그 부분에 대한 이해는 쉽게 할 수 있었다. BJT에 대한 실험이 없이 바로 FET 실험을 했다면 이해가 불가능 했었을 것 같다.
FET는 전압으로 제어를 하기 때문에 BJT의 큰 특징인 값이 존재 하지 않았고, 그 때문에 회로를 계산하는 방식이 많이 달랐다.