2011년도 2학기에 들은 따끈따끈한 논��회로실험 (아주댿�)

1. 실험 의의
◎ 이번 실험은 RAM에 대하여 알아보고 NAND 게이트로 구성한 F/F을 이용하여 직접 RAM을 설계하였다.
◎ RAM 이란 Random Access Memory의 약자로 메모리의 일종이다. RAM은 휘발성 메모리라 불리는데 이는 전원이 차단되면 저장된 데이터가 날아가는 성질 때문이다. 이를 이용하여 우리는 실험 중 전원을 차단하여 데이터 저장 유무를 체크할 수 있었다. Random Access 란 무작위 하게 접근한다는 것이 아닌 일방적으로 순차적으로 데이터를 읽는 기존의 방식과 다르게 원하는 주소의 데이터를 읽을 수 있다는 장점이 있다. 이 때문에 컴퓨터의 빠른 처리속도에 큰 영향을 끼친다.

2. 실험 수행 과정
1) 실험 1 회로를 구성한다.
2) OE0, 1단으로 PART 1이냐 PART 2냐를 설정한다. (주소설정)
3) IN0, 1으로 읽거나 쓸거냐를 설정한다. (Write, Read 설정)
4) WR0, 1으로 입력할 데이터 값을 설정한다.
◎ 첫 번째 실험은 직접 74HC00과 74HC03으로 구성된 회로를 만들고 2-bit RAM을 구성하는 것이다. 여기서 주의 할 점은 마지막 74HC03의 단에서 앞의 게이트를 거치며 약해진 신호를 증폭시키기 위하여 5V의 전원을 10KΩ과 연결하여 실험 결과가 명확하게 나오도록 해야 하는 것이다. 5V를 제거하고 실험해보았는데 LED의 밝기가 매우 약하고 점멸하여 실험에서 큰 어려움을 겪었을 것이라 생각했다.
◎ 첫 번째 실험에서 두 번째 어려웠던 점은 바로 WR0, 1의 입력문제였다. 예비 보고서를 작성하면서 WR0, 1의 역할이 PART1, 2의 저장되는 데이터를 결정하는데 WR 0, 1이 반전이 되어야 한다. 아래 표왿� 같이 정리가 가능하다.

이 점을 주의하여 실험을 하였고 큰 어려움 없이 원하는 결과를 Out Put 할 수 있었다.
1) 실험 2 회로를 구성한다.
2) A/A~A/D 까지 데이터를 저장할 주소를 설정한다.
3) ME왿� WE의 상관관계를 주의하여 데이터 입력과 출력을 결정한다.
4) D1~D4로 원하는 데이터 값 0 혹은 1을 입력한다.
5) O1~O4로 버블이 달려있음에 유의하여 데이터 출력을 확인한다.
◎ 두 번째 실험은 74LS89를 이용하여 64 bit IC RAM을 구성하고 올바르게 데이터를 읽고 쓰고 휘발성을 실험하는 실험이었다. 실험 중 LED의 +단을 VCC쪽으로 -단을 회로 쪽으로 연결하여 테스트를 하여야 올바른 결과가 나오는 실험이었다.
◎ 가장 어려웠던 점은 ME왿� WE를 이용한 Write왿� Read를 설정 하는 것이었는데 이는 WE단과 ME단의 입력이 버블이 있음을 유의하여 실험 하여서 자칫 혼란스러울 실험을 수월하게 수행하였다. WE왿� ME는 아래왿� 같이 표현이 가능하다.