젿�장장치 발전 동향에 대한 조사

1. 1차 젿�장장치
1차 젿�장장치는 마이크로프로세서가 직접 접근하는 주된 저장 장치로 RAM을 말함. 옵션으로 사용하는 디스크나 테이프는 2차 저장 장치 혹은 예비 저장 장치라 부른다 종류로는 캐시 메모리(cash memory), 메인 메모리(main memory) 등이 있다.
○1캐시 메모리: 중앙처리장치(CPU)왿� 상대적으로 느린 주기억장치 사이에서 두 장치 간의 데이터 접근속도를 완충해 주기 위해 사용되는 고속의 기억장치다. 캐시메모리는 주기억장치를 구성하는 DRAM보다 속도가 빠른 SRAM으로 구성하여 전원이 공급되는 상태에서는 기억 내용을 유지하는 임시 메모리다.
SRAM은 용량은 아주 작고 가격이 비싸지만, 플립플롭 방식의 메모리 셀을 가진 임의 접근 기억장치(Random Access Memory)로서, 전원 공급이 계속되는 한 저장된 내용을 계속 기억하며, 복잡한 재생 클록(refresh clock)이 필요 없다, SRAM은 동적 램보다 속도가 5배 정도 빠르며 가격도 비싼 편이다. 현재 판매되고 있는 SRAM은 8ns에서 20ns등의 고속 접근시간을 보인다.
○2메인 메모리(주 기억장치): 컴퓨터 CPU가 직접 그 위에 동작하는 저장 장치로써 DRAM(Dynamic Random Access Memory: 동적 램)으로 되어 있고, CPU가 실행해야 될 프로그램과 필요한 데이터를 유지하기 위해 사용된다. 100메가-10기가 정도의 용량을 가지고 있으나, 용량이 적도 비용도 많이 든다. 임의 접근으로 데이터 접근 시간은 10-100ns이다. 대표적인 DRAM으로 DDR이 있으며, DDR은 2000년도쯤에 처음 등장하여, DDR1, DDR2, DDR3 등으로 계속 발전하였고, 현재는 DDR3가 판매되고 있으며, 모듈속도는 1333MHz정도, 최근에 삼성전자에서 DDR4 16gb모듈을 선보였으며 모듈속도는 2400/2666 MHz, 대역폭은 38.4 GB/s 왿� 42.7 GB/s 수준이다

2. 2차 젿�장장치
○1플래시 메모리(Flash Memory): 플래시 메모리는 EEPROM기술을 사용한 고밀도, 고성능 메모리로서, 메인 메모리왿� 비슷한 접근속도를 가지고 있다.