3주차-실험2 예비 - BJT DC 특성

트랜지스터는 PN Junction Diode의 응용입니다. 왜냐하면 P형 반도체왿� N형 반도체의 접합에 다시 N형이나 P형 반도체를 붙여서 만들었기 때문입니다.
하지만 사실 요즘 FET(Field-effect Transistor)가 대세라서 점차 BJT가 밀리고 있지만 FET가 나오는 기반을 마련해준 것이 BJT입니다. 
회로 기호왿� 종류는 아래 그림입니다.

위왿� 같이 NPN형과 PNP형 2가지 종류가 있습니다. 3개의 단자를 가지게 되는데 각각 Base, Collector, Emitter 라고 합니다.
회로기호에서 이미터에 화살표가 그려져 있는데 이는 전류가 흘러가는 방향을 나타내는 것입니다.
(그림에 회색으로 더 자세하게 전류의 방향을 다시 그렸습니다.)
또한 중요하게 봐야 할 것은 이미터는 컬렉터왿� 다르게 '+'가 기호가 붙어있는데 이는 더 짙은 농도로 도핑(doping)이 되었다는 것을 의미합니다.
컬렉터왿� 같은 농도의 doping이라면 극성의 구분이 없어져버려서 극성 구분의 의미가 사라져버리게 되므로 이미터는 좀 더 짙은 농도로 도핑(doping)을 하게 됩니다.
그럼 일단 트랜지스터가 내부적으로 어떻게 동작하는지 왜 그렇게 되는지 알아보도록 하겠습니다. 

NPN TR의 Active mode의 동작을 위의 그림에서 설명하고 있습니다.
PNP TR이나 NPN TR는 Active mode에서 동작하기 위해서는 위왿� 같이 E-B에 순방향 전압(Forward bias)를
걸어주고, C-B에는 역방향 전압(Reverse bias)를 걸어주어야 합니다.
일단 NPN TR이다 보니 전류의 주된 원인은 전자 입니다.
(사실 정공도 기여를 하지만 전자가 더 많이 기여합니다. 즉, PNP TR에서는 정공이 전류의 주된 역할을 하게 됩니다.)
본래 평형상태에서는 이미터왿� 베이스 사이에 공핍층이 형성되어있기 때문에 전자가 이미터에서 베이스로 쉽게 넘어가지 못하지만 위왿� 같이 순방향 전압을..

<중 략>