[A+] 중앙댿� 전자회로설계실습 결과보고서4 MOSFET 소자 특성 측정

1. 서론
트랜지스터의 종류 중 하나인 MOSTFET는 전자전기공학의 큰 비중을 담당한다. 회로설계에 있어서는 절대 빠져서는 안되는 소자로써, 전자전기공학도라면 반드시 꼭 익히고 숙달되어야 할 소자이다.
이번 실험은 MOSTFET 소자의 기본적인 전류 흐름을 익히고, Source 그리고 Gate에서 가해준 전압이 Drain에서 흐르는 전류에 어떤 영향을 미치고, 또한 Drain과 Source사이에 가해준 전압과의 관계 등을 정립하기 위해 iD-vGS의 특성곡선과 iD-vDS 특성곡선을 측정한 값들을 대입하여 그려보는 다각적인 실험이다.
또한 소자의 Data Sheet를 통해 정보를 얻으며 문턱 전압, r` _{0`} `등을 직접 구해보는 실험이다.

2. 실험결과
우선 미리 설계한 MOSFET 회로도를 breadboard에 구현하여 성공적으로 실험을 마쳤다. iD-vGS의 특성곡선에서는 문턱 전압 V` _{t} `를 오차 없이 구해낼 수 있었으며, 트랜스 컨덕턴스 파라미터 kn 왿� gm를 실험을 통해 10% 내외의 오차율로 구하였다. 마지막으로 iD-vDS 특성곡선을 통해 채널 길이 변조로 인한 r` _{0`} `의 값을 도출해내었다.

3.1 MOSFET 회로의 제작 및 측정
(A) 그림 1의 회로를 제작하여라. 이때, R _{G} `=`1`M` ohm`로 설정한다. 또한, DC Power Supply를 회로에 연결 전에 V _{G} ``=`0V`, V _{`D} ``=`5V로 조정 후 Output OFF 후에 연결한다.

왼쪽은 P-Spice의 회로도 설계이고, 오른쪽은 그 설계를 직접 breadboard에 구현한 것이다. R _{D} `는 MOSFET의 Data Sheet에서 로 되어있지만, V _{DS} `전원을 공급하는 Power Supply의 내부저항이 존재한다고 가정하였다. R` _{G} ``는 Gate 단에 연결된 저항으로 Gate 단자에 충전된 전하가 방전되도록 하는 역할을 수행한다.