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전자및에너재료공학 기말 보고서

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최초등록일 2023.06.22 최종젿작일 2021.02
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전자및에너재료공학 기말 보고서
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    소개

    "전자및에너재료공학 기말 보고서"에 대한 내용입니다.

    목차

    1. INTRODUCTION
    2. HIGH-K
    3. ISSUE
    4. DEVELOPMENT TREND

    본내용

    Metal : 초기에는 저항 성분이 매우 낮은 Al 등으로 만들기도 하였음, 공정 중 높은 온도에서 잘 용융 되어 형태가 쉽게 무너짐, 문턱전압 (Threshold voltage)의 조정이 어려움
    SiO2 : 문턱전압을 낮추고 통제가 쉬운 폴리실리콘 사용하게 됨, 높은 저항값 때문에 트렌지스터의 성능 저하를 야기함
    Doped SiO2 : 폴리실리콘의 저항 성분을 낮추어 동작속도를 빠르게 하기 위해 도핑함
    High K Metal : 트렌지스터의 크기가 축소되면서 게이트 옥사이드 두께가 얇아지고 게이트 층의 도핑된 농도가 채널로 이동하게 되고 이에 따라 문턱전압이 다시 높아짐, 때문에 폴리 실리콘 대신 금속 계열 사용, 이때 게이트 옥사이드의 물질은 절연성이 더 높은 High-k 로 사용함

    참고자료

    · 없음
  • Easy Ai 요약

    이 문서는 실리콘 반도체 소자의 발전 과정에서 중요한 역할을 하고 있는 High-K 물질 개발 동향에 대해 설명하고 있다. 초기에는 저항성분이 낮은 Al 등의 금속과 SiO2 절연막을 사용했으나, 소자 미세화에 따른 누설 전류 증가왿 성능 감소 문제가 발생했다. 이를 해결하기 위해 고유전율 물질인 High-K 절연막이 도입되었다. High-K 물질은 높은 유전율과 적절한 밴드 오프셋을 가져야 하며, 열적 안정성과 계면 특성이 우수해야 한다. 대표적인 High-K 물질로는 HfO2, ZrO2 등이 있으며, DRAM 커패시터 유전막으로 ZAZ(ZrO2/Al2O3/ZrO2) 구조가 사용되고 있다. High-K 물질의 도입을 통해 누설 전류 감소왿 소자 성능 향상을 이루어낼 수 있었다. 이처럼 High-K 기술은 실리콘 반도체 소자의 발전에 중요한 역할을 해왔으며, 향후에도 지속적인 연구 개발이 필요할 것으로 보인다.
  • 자료후기

      Ai 리뷰
      High-K 물질의 필요성, 요구 특성, 대표적인 물질, 그리고 DRAM 적용 사례 등을 체계적으로 설명하고 있어 High-K 기술 동향을 이해하는 데 도움이 될 것으로 판단된다.
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