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![[반도체공정] EUV Lithography Term paper (영문작성)](https://image4.ppt2video.com/Production/thumb212/2025/02/03/data30669801-0001.jpg)
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소개
"[반도체공정] EUV Lithography Term paper (영문작성)"에 대한 내용입니다.목차
1. Introduction
2. Necessity of EUV Lithography
3. Characteristics of EUV Lithography
4. Technology for EUV Lithography
5. Contamination Management
6. Conclusion
References본내용
In February 2018, ground-breaking ceremony for EUV line was held at Samsung Electronics’ campus in Hwaseong, which is under construction as illustrated in Figure 1. EUV line is the newest technology which makes state-of-the-art semiconductors for mobile devices. The initial cost for the line is expected to be 6 billion dollars before when it is operated. Using EUV line, Samsung Electronics is looking forward to being a leader in nanometer semiconductor era.
Recently, Samsung Electronics announced that it has just succeeded in developing a 5nm foundry process based on EUV technology. The company is now also doing mass-production by 6nm and 7nm foundry process. Early in 2019, Samsung Electronics have accelerated mass-production for 7nm products based on EUV, and it is the first time in the industry.
This way, the term ‘EUV’ is frequently used in articles about next generation semiconductor processes. Then this paper will introduce what it is and how it play a role in semiconductor chip production.참고자료
· Vivek Bakshi, EUV Lithography, SPIE Press, 2009
· Zheng Cui, Nanofabrication : principles, capabilities and limits, Springer, 2008
· Michael Herh, Samsung Electronics Develops EUV-based 5-nm Lithography Process, BUSINESS KOREA, 2019
· T.J. Chung and J.J. You, Recent Trends of Lithographic Technology, Electronics and Telecommunications Trends , Vol. 13(5), 1998
· Prof. Jang-Sik Lee, Semiconductor Processing, Department of Materials Science & Engineering, POSTECH, 2019
· Lawrence Livermore National Laboratory, Extreme Ultraviolet Lithography Imaging the Future, EUVL Progress Report, S&TR November 1999
· Matt Smith, Extreme Ultra-Violet Lithography, Penn State University, 2006
· Bo Cui, Extreme UV (EUV) lithography, Fabrication in the nanoscale : principles, technology and applications, University of Waterloo
· Korea Institute of Science and Technology Information(KiSTi) MCT NET, EUV Lithography for nanoscale semiconductor
· Min Hyeok Yun, 삼성전자∙TSMC가 목매는 ‘수퍼乙’... EUV 독점하는 ASML, Chosun Biz, 2019
· Solid State Technology, Ushio hands Gigaphoton EUV JV to Komatsu, 2011
· David Lammers, Race Intensifies to Develop EUV Source, EUV Newsletter, 2011
· Ghansyam B. Rathod, et al. Review on Extreme Ultraviolet Lithography, Volume 4, Issue 2, IJARCSEE 2014
· Yuan Taur, Fundamentals of Modern VLSI Devices, 2nd edition, Cambridge University Press, 2009
· Ampere A. Tseng, Nanofabrication : Fundamentals and Applications, World Scientific, 2008태그
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Easy Ai 요약
이 문서는 EUV 리소그래피의 필요성과 특징을 자세히 설명하고 있습니다. CMOS 스케일링의 한계를 극복하기 위한 대안으로 등장한 EUV 리소그래피는 파장이 13.5nm의 극자외선을 사용하여 20nm 이하의 초미세 패턴을 구현할 수 있습니다. 하지만 고가의 장비 비용, 광원 및 마스크 기술의 어려움 등 해결해야 할 과제도 많습니다. 이 문서에서는 EUV 리소그래피의 작동 원리, 장단점, 핵심 기술 요소들을 상세히 다루고 있습니다. 특히 플라즈마 광원, 반사형 마스크, 반사 광학계 등 EUV 리소그래피의 핵심 기술들을 자세히 설명하고 있습니다. 또한 오염 관리왿 같은 실용적인 이슈도 다루고 있습니다. 이를 통해 EUV 리소그래피가 차세대 반도체 공정에서 어떤 역할을 할 것인지, 그리고 이를 실현하기 위한 기술적 과제는 무엇인지 잘 이해할 수 있습니다. 따라서 이 문서는 EUV 리소그래피 기술에 대한 전반적인 이해를 높이는 데 도움이 될 것으로 판단됩니다. -
자료후기
Ai 리뷰EUV 리소그래피는 차세대 반도체 공정의 핵심 기술로 주목받고 있으며, 이 문서는 이 기술의 개념, 특징, 핵심 구성 요소들을 체계적으로 정리하여 소개하고 있습니다. -
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