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![[신소재공학씄험] 반도체씄험_Final Report](https://image4.ppt2video.com/Production/thumb212/2025/02/03/data30669813-0001.jpg)
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소개
"[신소재공학씄험] 반도체씄험_Final Report"에 대한 내용입니다.목차
Experiment 1: Lithography
1. Lithography
2. Deposition
Experiment 2: Electrical Property
1. TLM Measurement
2. 4-probe measurement
Experiment 3: Optical Property
1. Absorption Spectra
2. PL(Photoluminescence)
Reference본내용
(1) Briefly describe the principle and experimental methods of photo-lithography.
Photo-lithography란 설계된 도면에 맞추어 제작한 mask에 빛을 조사하여 pattern을 형성하는 공정기술이다. 일반적으로 photoresist를 도포한 후 spin coating, soft backing, exposure(using mask), development and hard baking, removal 순서로 진행된다.
먼저 wafer 상의 이물질을 아세톤, IPA, DI water로 세척한 후 질소 건을 이용하여 남은 물기를 제거해준다. 이후 photoresist를 spin coating을 통해 기판의 표면에 고르게 분포시킨다. 이후 1분간의 soft backing을 거쳐 solvent concentration을 최소화한다. 그리고 행해지는 가장 중요한 과정이 바로 wafer에 패턴을 새기는 “mask alignment and exposure”이다. 우선 wafer를 mask 아래에 원하는 방향으로 위치시키고 aligner를 이용하여 x, y, z 축을 조절한다. 그리고 exposed area에 radiate한다. Development process는 특정 부위의 photoresist를 제거하는 작업으로 염기성 용액이 주로 사용된다. 사용하는 photoresist의 종류에 따라 developer에 의해 제거되는 부분이 다르며, development 시간으로 해당 패턴을 조절할 수 있다. 일반적으로 positive photoresist의 경우에는 exposed area가 제거되며, negative photoresist 경우에는 unexposed area가 제거된다. 이후 hard baking으로 남은 photoresist를 solidify 시킨다. 마지막으로 아세톤, IPA, DI water을 이용하여 세척하면 원하는 pattern이 형성된 wafer가 얻어진다.참고자료
· Gary S. May and Costas J. Spanos(2006), Fundamentals of Semiconductor Manufacturing and Process Control, John Wiley & Sons
· MicroChemicals GmbH, LIFT-OFF Basics of Microstructuring
· Norm Hardy, What is Thin Film Deposition By Thermal Evaporation(2013), Semicore Equipment, Inc.
· Ben G. Streetman and Sanjay Kumar Benergee(2015), Solid state Electronic Devices 6th, PEARSON
· Donal A. Neamen(2003), Semiconductor physics and devices 3rd edition, Mc GRaw Hill
· Wikipedia, Stokes’ shift
· MicroChemicals GmbH, Lift-off Processes with Photoresists(2009)
· Steven H. Simon, The Oxford Solid State Basics, OXFORD
· Prof. Jong Kyu Kim, Course Outline/Lab Manual : Optical & Electrical Properties of Semiconductors(2018)
· Chang-Mo Kang, Monolithic integration of AlGaInP-based red and InGaN-based green LEDs via adhesive bonding for multicolor emission(2017), Scientific reports태그
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Easy Ai 요약
이 문서는 신소재공학씄험 반도체씄험 Final Report로, 리소그래피, 전기적 특성, 광학적 특성 측정 실험을 통해 반도체 물질의 특성을 분석하고 있습니다. 리소그래피 실험에서는 positive, negative, image reversal 포토레지스트의 특성과 lift-off 공정을 설명하고 있습니다. 전기적 특성 측정에서는 TLM 및 4-probe 측정 방법을 통해 접촉 저항, 시트 저항, 비저항 등을 도출하고 이를 바탕으로 물질 조성을 추정하고 있습니다. 광학적 특성 측정에서는 흡수 스펙트럼과 발광 스펙트럼 분석을 통해 밴드갭 에너지를 계산하고 물질을 예측하고 있습니다. 이러한 다양한 실험 결과를 종합적으로 분석하여 반도체 물질의 특성을 체계적으로 평가하고 있습니다. 특히 실험 결과왿 이론적 배경을 연계하여 물질 조성 및 특성을 추정하는 과정이 인상적입니다. 전반적으로 실험 내용과 분석이 매우 충실하게 이루어져 있어 반도체 물질의 특성을 종합적으로 이해할 수 있는 보고서라고 판단됩니다. -
자료후기
Ai 리뷰본 실험 보고서는 리소그래피, 전기적 특성 측정, 광학적 특성 측정 등 다양한 실험 결과를 체계적으로 정리하고 분석하여 반도체 물질의 특성을 종합적으로 평가하고 있습니다. -
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