습식 에�� 기술

1.1. 습식 에��이란?
하나의 반도체는 손톱 크기만큼 작고 얇은 실리콘 칩에 불과하지만, 그 안에는 트랜지스터, 다이오드, 저항, 캐패시터 등 수 만개의 미세한 부품들로 가득 차있다. 하지만 머리카락 굵기의 8만분의 1크기의 ‘나노미터’급 부품들을 각각 따론 만들어 하나의 칩에 내장할 수 없다. 대신 각각의 부품과 이를 전기적으로 연결하는 회로를 하나의 패턴으로 만들어 반도체 내 여러 층의 얇은 막에 그려 넣은 방식을 사용한다. 이때 기판에 회로 패턴을 만들어주기 위해 화공약품이나 부식성 가스를 이용해 필요 없는 부분을 선택적으로 없애는 과정으로 현상액이 남아 있는 부분을 남겨둔 채 나머지 부분은 부식시키는 것이 에��(식각)공정이다. 이렇게 기판위에 박막을 형성하고 에��을 통해 회로 패턴을 형성하는 과정을 반복함으로써 반도체만의 고유한 특성을 갖게 되는 것이다.
Fig. 1. Etching(식각) 공정
반도체뿐만 아니라 LCD 등 디스플레이 제조에도 적용되는 에�� 공정은 크게 건식과 습식으로 나뉜다. 이왿� 관련 습식은 액상의 화학약품으로 기판 표면에 불필요한 부분을 깎아 내는 방식이다. 습식에��의 이러한 특징은 3 um 이하의 형상을 정의 하는 것에는 부적합하다. 그러므로 식각되어야 할 필름의 두께가 3 um 이하가 되면 언더컷에 의하여 사용할 수 없게 된다. 고밀도 집적회로에 사용되는 필름의 두께가 약 0.5 - 1.0 um 인 것을 감안한다면 습식에�� 으로는 에��을 할 수 없게 된다. 반면 건식은 액체가 아닌 가스를 사용하게 된다. 습식에 비해 건식이 많은 비용이 들고 방법이 까다롭다는 단점이 있으나, 최근 극 미세 회로선폭 및 기판 대형화 추세에 따라 수율을 높이기 위한 방법으로 건식이 확대되고 있다.1. http://blog.naver.com/okokokj/20034253267
식각 공정은 크게 습식 식각(wet etching)과 건식 식각(dry etching)으로 구분되는데, 이중 습식 식각 공정은 일반적으로 식각 용액에 웨이퍼를 넣어 액체-고체(liquid-solid) 화학반응에 의해 식각이 이루어지게 하는 것을 말한다.