메모리소자 : 작동원리왿� 장단점

메모리의 종류는 전원을 끄면 data가 그대로 남아 있는지의 여부로 구분을 해서 휘발성(Volatile) 메모리인 DRAM, SRAM이 있고 반대로 전원을 꺼도 계속 data가 저장이 되는 비휘발성(Non-volatile) 메모리인 FLASH, MASK ROM, M-RAM, P-RAM, Fe-RAM이 있다.

1. DRAM
: DRAM이 사용되는 곳은 PC의 주기억장치왿� 그래픽 카드의 메모리로 주로 사용이 되고 있다. 일정한 주기로 refresh라고 하는 동작을 해서 data를 보존해 주어야하기 때문에 소모 전력이 큰 단점이 있지만 FLASH에 비해서 동작속도가 빠르고 SRAM에 비해서 집적도가 크기 때문에 현재 메모리들 중에서 시장이 가장 크고 널리 쓰이고 있다.
최근의 반도체 DRAM (Dynamic Random Access Memory)은 1개의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 구조의 Transistor왿� 1 Capacitor로 1 bit의 정보를 저장하는 cell을 구성하고 있다. CVD왿� PVD를 포함하는 thin film은 이러한 DRAM에 있어서 층간 절연막과 금속 배선 등의 막성 구조를 조성하는 공정을 담당하고 있으며 Implantation은 Tr구조의 성능과 작동을 가능하게 하는 VT, source, drain, gate 조성 공정을 담당하고 있다.

< DRAM cell의 기본 구조 >


1) Word line에 gate voltage VG가 가해진다.

i) 본 그림에 나타난 MOSFET은 n channel 형으로써 VG는 positive voltage가 된다.
ii) P1과 substrate 사이에 끼어 있는 gate oxide의 P1쪽에 - 전하를 갖는 전자가 모인다.
iii) 전기적으로 중성인 oxide의 한쪽으로 전자가 몰리므로 반대쪽은 + 전하만 남아 있어
substrate 쪽의 +로 대전된다.