"Mixed-source HVPE"의 검색결과 입니다.

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"Mixed-source HVPE" 검색결과 1-13 / 13건

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혼합소스 HVPE 방법에 의한 질화물 반도체의 도핑 (Doping of Nitride Semiconductors by Using Mixed-source HVPE)

한국물리학회 허인혜, 안형수, 김석환, 김은주, 시상기, 심준환, 양민, 이재학, 이충현, 전헌수, 조인성, 한영훈, 홍상현, 황선령

논�� | 6페이짿� | 무료 | 등록일 2025.05.04 | 수정일 2025.05.16

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혼합소스 HVPE 방법에 의해 성장된 육각형 Si 결정 (Hexagonal shape Si crystal grown by mixed-source HVPE method)

the newly designed atmospheric pressure mixed-source HVPE method,nuclei are formed by the ... -source hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method of mixing solid materials such as Si, Al and Ga. In ... 결정의 특성을 확인하였으며, Si 산업 분야에서 새로운 소재로서 응용성이 기대된다. Hexagonal shape Si crystals were grown by the mixed

논�� | 9페이짿� | 무료 | 등록일 2025.06.04 | 수정일 2025.06.06

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혼합소스 방법에 의해 성장된 HVPE-LED의 특성 (Characterization of a HVPE-LED Grown by Using the Mixed-source Method)

white LED (light emitting diode) by using the mixed-source HVPE (hydride vapor phase epitaxy ... possibility of fabricating white LEDs without phosphor by using the mixed-source HVPE method. 한국물리학회 새물리 이아름 ... ) process. The epitaxial structures of the HVPE-LEDs were grown on templated n-GaN (0001) sapphire. The s

논�� | 6페이짿� | 무료 | 등록일 2025.06.03 | 수정일 2025.06.06

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혼합소스 HVPE 방법에 의한 전력 반도체 소자용 p형 AlN 에피층 성장 (p-Type AlN epilayer growth for power semiconductor device by mixed-source HVPE method)

한국결정성장학회 이강석, 김경화, 김상우, 전인준, 안형수, 양민, 이삼녕, 조채용, 김석환

논�� | 8페이짿� | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17

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고효율 파워 반도체 소자를 위한 Mg-doped AlN 에피층의 HVPE 성장 (HVPE growth of Mg-doped AlN epilayers for high-performance power-semi-conductor devices)

한국결정성장학회 배숭근, 전인준, 양민, 이삼녕, 안형수, 전헌수, 김경화, 김석환

논�� | 7페이짿� | 무료 | 등록일 2025.05.07 | 수정일 2025.05.17

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HVPE 법에 의한 마이크로 AlN 구의 성장 메커니즘 및 특성 (Growth Mechanism and Characterization of AlN Microspheres by HVPE Method)

한국물리학회 김경화, 박정현, 안형수, 양민, 이삼녕, 전인준, 조채용, 전헌수, 김석환

논�� | 7페이짿� | 무료 | 등록일 2025.04.21 | 수정일 2025.05.13

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Al 기반 나노 구조에 의한 육각형 게르마늄 마이크로 결정의 성장 (Growth of Hexagonal Germanium Microcrystal Using Al-Based Nanostructures)

한국물리학회 김경화, 전인준, 안형수, 양민, 전영태, 이삼녕, 이재학, 조채용, 김석환

논�� | 11페이짿� | 무료 | 등록일 2025.04.21 | 수정일 2025.05.13

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Raman 측정에 의한 육방정계 Si 단결정의 상 변화 특성 해석 (Analysis of the Phase Change Characteristics of Hexagonal Si Single Crystals by Using Raman Measurement)

한국물리학회 김경화, 이강석, 안형수, 이재학, 전영태, 양민, 이삼녕, 황선령, 이상걸, 노효진, 이원재, 하동한, 김석환

논�� | 11페이짿� | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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Al 기반 나노구조에 의한 Si-AlN 코어-쉘 마이크로 결정의 특성 (Properties of Si-AlN Core-Shell Microcrystals by Al-Based Nanostructures)

the mixed-source hydride vapor phase method. In particular, it was found that the hexagonal Si-AlN ... 육방정계 (hexagonal) Si-AlN 코어-쉘 (core-shell) 마이크로 결정을 혼합소스 수소화물기상법에 의해 성장하였다. 특히 육방정계 Si-AlN 코어-쉘 마이크로 ... 코어-쉘 마이크로 결정은 반도체 성장 방법의 새로운 예가 될 것으로 기대한다. Hexagonal Si-AlN core-shell microcrystals were grown by

논�� | 8페이짿� | 무료 | 등록일 2025.05.29 | 수정일 2025.06.04

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단결정 육각형 실리콘 마이크로 바늘의 혼합소스 HVPE 성장방법 (Mixed-Source HVPE Method for Growing Single-Crystal Hexagonal Si Microneedles)

한국물리학회 이강석, 김경화, 박정현, 김소윤, 이하영, 안형수, 이재학, 전영태, 양민, 이삼녕, 전인준, 조채용, 이상걸, 노효진, 이원재, 김석환

논�� | 8페이짿� | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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HVPE에 의해 성장된 AlGaN epi layer의 특성 (The properties of AlGaN epi layer grown by HVPE)

layer. In this paper, we attempted to grow the LED structure on GaN template by mixed-source HVPE ... layer by control the Al content in mixed-source. For the growth of epi layer, the HCl and NH3 gas ... were flowed over the mixed-source and the carrier gas was N2. The temperature of source zone and

논�� | 4페이짿� | 무료 | 등록일 2025.06.03 | 수정일 2025.06.06

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혼합 소스 HVPE 방법으로 성장한 Si 마이크로 단결정의 발광 특성 (Light Emitting Properties of Si Micro Single Crystal Grown by Mixed-Source HVPE Method)

한국물리학회 김경화, 이강석, 박정현, 김소윤, 안형수, 이재학, 전영태, 양민, 이삼녕, 황선령, 전헌수, 차호영, 하동한, 류상훈, 김석환

논�� | 9페이짿� | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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고효율, 저비용 청색 LED 제작설계

를 위해 액상성장방법(LPE)을 응용한 혼합소스(mixed source) HVPE 방법을 사용하였다. 혼합소스 HVPE방법에서는 반응관 내에 3족 원료 금속인 Ga과 In이 혼합 ... 반도체가 전 세계적으로 주목을 받고 있다. 이것은 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체가 0.7~6.2 eV 에 이르는 직접 천이형 금지대 폭을 가지고 있어 질화물의 조성에 따라 가시광선 ... 을 가졌기 때문에 고온 고출력 전자소자로도 각광을 받고 있다. 현재까지 GaN을 기초로 한 고휘도의 청,녹색 LED를 개발은 매우 활발하게 진행 되고 있다.에피탁시 성장은 HVPE

리포트 | 26페이짿� | 3,000원 | 등록일 2007.10.04

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