
중앙대 전기회로설계실습 결과보고서8
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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서8
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2024.07.07
문서 내 토픽
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1. RL 회로의 과도응답 설계이 보고서는 중앙대학껓 전기회로설계실습 수업의 결과 보고서입니다. 주요 내용은 time constant가 10μs인 직렬 RL 회로를 설계하고, 이에 따른 Function generator 출력파형, 저항전압파형, 인덕터 전압파형을 측정 및 분석한 것입니다. 또한 주파수 10kHz의 서로 다른 출력 크기의 사각파를 입력하여 관찰한 파형의 차이점을 설명하고 있습니다. 실험 결과와 예비보고서에서 작성한 파형을 비교하여 차이점을 분석하였습니다.
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1. RL 회로의 과도응답 설계RL 회로의 과도응답 설계는 전기 및 전자 공학 분야에서 매우 중요한 주제입니다. RL 회로는 저항(R)과 인덕터(L)로 구성되며, 이러한 회로의 과도응답 특성을 이해하고 설계하는 것은 다양한 응용 분야에서 필수적입니다. 과도응답 설계에는 시간 영역과 주파수 영역 모두에서의 분석이 필요하며, 회로의 시정수, 시간 상수, 감쇠비 등의 개념을 이해하고 적용해야 합니다. 또한 과도응답 특성을 개선하기 위한 다양한 기법, 예를 들어 피드백 제어, 보상 회로 설계 등이 활용됩니다. RL 회로의 과도응답 설계는 전력 전자, 제어 시스템, 통신 시스템 등 다양한 분야에서 중요한 역할을 하며, 이에 대한 깊이 있는 이해와 실무 능력 향상이 필요합니다.
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중앙대학껓 전기회로 설계실습 결과보고서 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답 (Transient Response)1. 인덕터 이번 실험을 통해 인덕터의 기능과 time constant τ의 의미 등 전공 공부를 통해 배웠던 내용들을 다시 확인할 수 있었다. 오실로스코프를 이용해 Function Generator의 출력 전압 파형과 저항 전압파형, 인덕터의 전압파형을 확인한 결과 저항전압파형과 인덕터의 전압파형의 합이 Function Generator의 출력임을 알 수...2025.04.29 · 공학/기술
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[중앙대학껓 전기회로설계실습] A+ 결과보고서 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답2025.05.03 · 공학/기술
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(22년) 중앙대학껓 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계1. 단일 Current Mirror 구현 및 측정 10V의 Power Supply 전압을 인가하고 단일 MOS Current Mirror 회로를 구현해 transistor M1, M2의 VGS1, VGS2, VDS1, VDS2를 측정하고 IO와 IREF를 계산하였다. 측정 결과 VGS1, VGS2, VDS1, VDS2의 오차율은 각각 5.53%, 5.96...2025.04.30 · 공학/기술
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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서8_인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response)1. 인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response) RL회로를 설계하고 이를 측정하는 방법을 설계하기 위해 실습을 진행했습니다. Time constant가 10μs인 RL직렬회로의 저항 R을 구했고, Function generator의 출력을 1V의 사각파로 하여 Function generator의 출력 파형과 저항전압파형, 인덕터 전압...2025.05.10 · 공학/기술
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(21년) 중앙대학껓 전자전기공학부 전기회로설계실습 결과보고서 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답 5페이짿
설계실습 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답요약: 시정수가 10μs인 RL회로를 구성하기 위해 10mH 인덕터와 가변저항을 준비하고 가변저항의 저항을 DMM을 통해 1KΩ에 가깝게 조절한다. FG의 설정을 주파수가 10 KHz, 크기가 0.5Vpp, Offset값이 0.25V인 사각파로 설정하고 조정한 가변저항과 인덕터, 오실로스코프로 이루어진 회로를 구성하고 FG의 출력을 인가해 오실로스코프에 나타나는 결과를 확인한다. 시정수의 이론값인 10μs에서 저항에 걸리는 전압은 0.656V로 오차 3.797%를 보였다. 이 오차는 FG에...2022.08.22· 5페이짿 -
중앙대학껓 전기회로설계실습 설계실습 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response) A+ 결과보고서 4페이짿
2.1 설계실습 계획서에서 구한 저항이 되도록 가변저항을 DMM으로 측정, 조절하고 그 값을 기록하라. 인덕터의 저항을 측정, 기록하라. Function generator의 출력을 1 V의 사각파(high = 1 V, low = 0 V, duty cycle = 50 % )로 하라. 실험계획 3.1, 3.2, 3.3을 참조하여 Function generator출력파형, 저항전압파형, 인덕터의 전압파형을 측정하여 같은 시간축(x), 전압축(y)에 그려라. 실험계획서에서 예상한 입력주파...2022.09.15· 4페이짿 -
[A+] 중앙대학껓 전기회로 설계실습 결과보고서 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답 (Transient Response) 10페이짿
가변저항을 1.05 [㏀]으로 조절하고 Function Generator를 이용해 입력 전압을 만 들면 설계 실습 계획서에서 예상한 그래프를 확인할 수 있다. 더불어 저항전압파형과 인덕터 의 전압파형의 합이 Function Generator의 출력 파형임을 확인할 수 있다. Function Generator의 출력인 사각파의 최대 전압이 936 [mV]이므로 인덕터의 전압이 입력 전압의 0.368배인 344 [mV]가 되는 시간이 시정수, time constant이며 측정한 결과 9.4 [...2023.02.06· 10페이짿 -
(22년) 중앙대학껓 전자전기공학부 전자회로설계실습 결과보고서 8. MOSFET Current Mirror 설계 4페이짿
설계실습 8. MOSFET Current Mirror 설계요약:10V의 Power Supply 전압을 인가하고 단일 MOS Current Mirror 회로를 구현해 transistor M1, M2의 VGS1, VGS2, VDS1, VDS2를 측정하고 IO와 IREF를 계산하였다. 여기서 M1이 diode-connected transistor이다. 측정 결과 VGS1, VGS2, VDS1, VDS2의 오차율은 각각 5.53%, 5.96%, 5.96%, 13.76%로 매우 낮아 PSPICE 시뮬레이션 결과와 거의 일치했고 IO, IRE...2023.02.12· 4페이짿 -
중앙대학껓 전기회로설계실습 결과보고서 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답 8페이짿
실험실습 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답요약:실험결과를 통해 RL 직렬회로의 충전 방전을 이해할 수 있었다.RL 직렬회로의 시정수를 구하기 위해 오실레이터를 이용하여 커서 기능을 이용하여 τ를 구하고, 똑같은 직렬회로를 PSPICE로 구성하여 τ를 구해 비교해 보았다. OFFSET이 있는 입력전압을 가했을 때와 OFFSET이 없는 입력전압을 가했을 때 RL 직렬회로가 어떠한 출력을 보이는지 실험해 보았다. 출력의 크기 변화에 따른 저항과 인덕터의 출력전압 변화를 확인해 보았다. 마지막으로 주기가 시정수와 같은 사각파를 RL 직렬...2020.09.06· 8페이짿